IRFP260
zoom_out_map
chevron_left chevron_right
-10%

IRFP260

13,73 lei 15,25 lei -10%
cu TVA
Inchide
  • Plata in siguranta, ramburs sau cu cardul! Plata in siguranta, ramburs sau cu cardul!
  • Livrarea din stoc in 1-2 zile! Livrarea din stoc in 1-2 zile!
  • Garantie la toate produsele! Garantie la toate produsele!

Descriere

Tranzistor MOSFET IRFP260 N-Channel 200V 50A TO-247


IRFP260 este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, utilizat pe scară largă în surse de alimentare în comutație, invertoare, convertoare DC-DC, amplificatoare de putere, controlere pentru motoare și alte aplicații electronice care necesită comutarea unor curenți și puteri ridicate.


Dispozitivul este realizat cu tehnologie HEXFET și oferă o combinație echilibrată între rezistența redusă în stare de conducție, capacitatea mare de curent și viteza ridicată de comutație. Capsula TO-247 permite montarea pe radiator pentru disiparea eficientă a căldurii în aplicațiile de putere.


IRFP260 este utilizat frecvent în echipamente industriale, surse în comutație, sisteme UPS, aparate de sudură, convertoare de frecvență și proiecte electronice de mare putere.


Functii




  • Comutare sarcini de putere în circuite electronice.




  • Control motoare și convertoare de putere.




  • Utilizare în surse de alimentare în comutație (SMPS).




  • Utilizare în invertoare și convertoare DC-DC.




  • Amplificatoare și etaje finale de putere.




Specificatii tehnice




  • Model: IRFP260.




  • Tip componentă: tranzistor MOSFET de putere.




  • Canal: N-Channel.




  • Tehnologie: HEXFET Power MOSFET.




  • Capsulă: TO-247AC.




  • Tensiune maximă drenă-sursă (VDS): 200 V.




  • Tensiune maximă poartă-sursă (VGS): ±20 V.




  • Curent maxim drenă (ID) la 25°C: 50 A.




  • Curent pulsatoriu drenă (IDM): 200 A.




  • Putere maximă disipată (PD): 300 W.




  • Rezistență drenă-sursă în conducție RDS(on): maximum 0,055 Ω.




  • Tensiune prag poartă (VGS(th)): 2 V – 4 V.




  • Sarcină totală poartă (Qg): aproximativ 180 nC.




  • Timp de creștere (Rise Time): aproximativ 100 ns.




  • Timp de coborâre (Fall Time): aproximativ 74 ns.




  • Capacitate de intrare (Ciss): aproximativ 5600 pF.




  • Temperatura de funcționare a joncțiunii: -55°C ... +175°C.




  • Rezistență termică joncțiune-capsulă: aproximativ 0,50 °C/W.




  • Montare: prin inserție (Through-Hole).




  • Material capsulă: plastic epoxidic cu talpă metalică.




  • Conținut pachet: 1 x tranzistor MOSFET IRFP260.




 

Fisa tehnica

M-13235

Peste 200 Review-uri pozitive pe Google!

16 alte produse in aceeasi categorie:

chat Comentarii (0)