IRFP250N
zoom_out_map
chevron_left chevron_right
-10%

IRFP250N

10,07 lei 11,18 lei -10%
cu TVA
Inchide
  • Plata in siguranta, ramburs sau cu cardul! Plata in siguranta, ramburs sau cu cardul!
  •  Livrarea din stoc in 1-2 zile! Livrarea din stoc in 1-2 zile!
  • Garantie la toate produsele! Garantie la toate produsele!

Descriere

IRFP250N este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, utilizat pe scară largă în surse de alimentare în comutație, convertoare DC-DC, invertoare, amplificatoare de putere, controlere de motoare și alte aplicații electronice care necesită comutarea unor curenți și tensiuni ridicate. Modelul este cunoscut pentru rezistența redusă în conducție, viteza mare de comutație și capacitatea de a lucra la temperaturi ridicate, fiind potrivit atât pentru echipamente industriale, cât și pentru proiecte electronice de putere.


Datorită capsulei TO-247, IRFP250N permite disiparea eficientă a căldurii și montarea pe radiatoare de dimensiuni adecvate. Tehnologia HEXFET utilizată de producător oferă un compromis avantajos între pierderile reduse în conducție și performanțele de comutație. Acest tranzistor este recomandat pentru reparația echipamentelor electronice, construcția surselor de alimentare în comutație, generatoarelor de putere și aplicațiilor de automatizare.


Funcții și domenii de măsurare


Acest produs nu este un aparat de măsură. Principalele caracteristici electrice sunt:




  • Tensiune drenă–sursă (VDS): până la 200 V




  • Curent continuu drenă (ID): până la 30 A la temperatura capsulei de 25°C




  • Curent drenă în impuls (IDM): până la 120 A




  • Rezistență drenă–sursă în conducție (RDS(on)): maximum 0,075 Ω la VGS = 10 V




  • Tensiune poartă–sursă (VGS): ±20 V




  • Putere disipată maximă: 214 W




  • Temperatură de funcționare a joncțiunii: -55°C ... +175°C 




Specificații tehnice




  • Model: IRFP250N




  • Tip componentă: tranzistor MOSFET de putere




  • Polaritate: canal N (N-Channel)




  • Tehnologie: HEXFET Power MOSFET




  • Tensiune maximă drenă–sursă (VDS): 200 V




  • Curent continuu drenă (ID): 30 A




  • Curent drenă la 100°C: 21 A




  • Curent maxim în impuls (IDM): 120 A




  • Rezistență RDS(on): max. 0,075 Ω




  • Tensiune prag poartă–sursă (VGS(th)): 2 ... 4 V




  • Tensiune maximă poartă–sursă (VGS): ±20 V




  • Putere disipată maximă: 214 W




  • Sarcină totală poartă (Qg): aproximativ 82 nC




  • Temperatură de funcționare: -55°C ... +175°C




  • Rezistență termică joncțiune–capsulă: 0,7 °C/W




  • Capsulă: TO-247AC




  • Montare: THT (Through-Hole)




  • Număr terminale: 3




  • Material carcasă: capsulă plastic TO-247 cu talpă metalică pentru disipare




  • Conformitate RoHS: disponibil și în variante fără plumb, în funcție de producător




  • Dimensiuni exacte: conform standardului capsulei TO-247, nespecificate în sursele consultate




  • Greutate: nespecificată în sursele consultate




Conținut pachet




  • 1 x tranzistor MOSFET IRFP250N




Aplicații recomandate




  • Surse de alimentare în comutație (SMPS)




  • Convertoare DC-DC




  • Invertoare și UPS-uri




  • Controlere PWM pentru motoare




  • Amplificatoare de putere




  • Echipamente industriale și de automatizare




  • Reparații și dezvoltare de circuite electronice de putere



Fisa tehnica

M-13258

Peste 200 Review-uri pozitive pe Google!

16 alte produse in aceeasi categorie:

chat Comentarii (0)