IRFP2907

36,42 lei 40,47 lei -10%

cu TVA

Plata in siguranta, ramburs sau cu cardul!
Livrarea din stoc in 1-2 zile!
Garantie la toate produsele!

Descriere

IRFP2907 – Tranzistor MOSFET de putere N-Channel 75 V / 209 A, capsulă TO-247

IRFP2907 este un tranzistor MOSFET de putere cu canal N, proiectat pentru aplicații care necesită curenți foarte mari și rezistență internă extrem de redusă. Dezvoltat inițial de International Rectifier (actualmente parte a Infineon Technologies), acest dispozitiv utilizează tehnologia HEXFET și este destinat aplicațiilor de conversie a puterii, surse în comutație, invertoare, controlere de motoare, echipamente auto și sisteme de alimentare de mare putere.

Datorită rezistenței RDS(on) foarte mici, IRFP2907 oferă pierderi reduse în conducție și eficiență ridicată. Capsula TO-247 permite montarea pe radiator pentru disiparea eficientă a căldurii în aplicații solicitante. Dispozitivul suportă temperaturi de funcționare ale joncțiunii de până la 175°C și dispune de caracteristici avansate precum comutație rapidă, rezistență la avalanșă repetitivă și rating dinamic dv/dt.

Funcții

Comutare și control putere DC: tensiune drenă-sursă până la 75 V.
Conducție curent de putere: până la 209 A (la 25°C, conform fișei tehnice).
Comandă prin tensiune pe poartă: funcționare MOSFET N-Channel enhancement mode.
Utilizare în convertoare DC-DC, surse în comutație, control motoare, invertoare și aplicații auto de putere.

Specificații tehnice

Model: IRFP2907.
Tip componentă: tranzistor MOSFET de putere N-Channel.
Producător original: International Rectifier / Infineon Technologies.
Tehnologie: HEXFET Power MOSFET.
Tensiune maximă drenă-sursă (VDS): 75 V.
Curent continuu drenă (ID): 209 A la 25°C.
Rezistență drenă-sursă în conducție RDS(on): maximum 4,5 mΩ la VGS = 10 V.
Tensiune prag poartă-sursă (VGS(th)): aproximativ 2 – 4 V
Tensiune maximă poartă-sursă (VGS): ±20 V.
Putere disipată: până la 330 W
Sarcină totală de poartă (Qg): aproximativ 410 nC la VGS = 10 V.
Capacitate de intrare (Ciss): aproximativ 13 nF.
Timp de creștere (Rise Time): aproximativ 190 ns.
Timp de cădere (Fall Time): aproximativ 130 ns.
Temperatură de funcționare a joncțiunii: -55°C ... +175°C.
Capsulă: TO-247AC / TO-247 cu montare prin inserție (Through Hole).
Număr terminale: 3 (Gate, Drain, Source).
Montare: THT (Through-Hole Technology).
Conformitate: versiuni disponibile fără plumb (Pb-Free / RoHS).
Protecții și caracteristici: rezistență la avalanșă repetitivă, rating dinamic dv/dt, comutație rapidă.
Conținut pachet: 1 x tranzistor MOSFET IRFP2907.

IRFP2907 este alegerea potrivită pentru proiecte electronice de putere, oferind combinația dintre curent foarte mare, rezistență internă redusă și fiabilitate ridicată în aplicații industriale, auto și de conversie a energiei.